选用2764 EPROM 存储芯片，设计一个64KB的程序存储器，写出设计步骤…
答案:2 悬赏:0
解决时间 2021-01-11 19:03
- 提问者网友：箛茗
- 2021-01-11 07:09
选用2764 EPROM 存储芯片，设计一个64KB的程序存储器，写出设计步骤…
最佳答案
- 二级知识专家网友：深街酒徒
- 2021-01-11 07:50
没有合适答案，自己收分.
全部回答
- 1楼网友：一袍清酒付
- 2021-01-11 08:20
4.2参见p.106-107
总线操作指的是发生在总线上的某些特定操作，总线周期指的是完成一次特定总线操作所需的时间。对8088而言其典型的总线周期由 4个T状态组成。PC/XT所采用的时钟频率为4.77MHz，每个T状态的持续时间为210ns。如果CLK引脚接5MHz的时钟信号，那么每个T状态的持续时间为200ns。
4.4解答：
当8088进行读写存储器或I/O接口时，如果存储器或I/O接口无法满足CPU的读写时序（来不及提供或读取数据时），需要CPU插入等待状态TW。（在T3前沿检测Ready信号，若无效则插入TW 。）
具体在读写总线周期的T3和T4之间插入TW。
4.6参见p.99，p.110
8088的某些输出线有三种状态：高电平、低电平、悬空(高阻态)，称为三态能力。在高阻状态，CPU放弃其了对该引脚的控制权，由连接它的设备接管。
具有三态能力的引脚有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。
4.11
总线周期 IO/M* WR* RD*
存储器读 低 高 低
存储器写 低 低 高
I/O读 高 高 低
I/O写 高 低 高
4.12 答：
取该指令时引发存储器读总线操作。执行该指令时引发I/O读总线操作。（时序图略）
4.13 8088系统最小组态下，对指令ADD [2000H]，AX （长度3B）。
答：取该指令时需要3个总线周期，均为存储器读周期。
执行该指令时需要4个总线周期，2个为存储器读总线周期（读出字操作数参与运算），2个为存储器写总线周期（保存16位运算结果）。
4.15 参见p.106图
74LS373 的G为电平锁存引脚，控制选通且转为无效时锁存数据。
OE* 输出允许引脚，信号来自ALE。
4.16 参见p.106图
数据收发器74LS245 是8位双向缓冲器，G*控制端为低电平有效，可传输数据；DIR控制导通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。
4.17 参见p.
总线操作指的是发生在总线上的某些特定操作，总线周期指的是完成一次特定总线操作所需的时间。对8088而言其典型的总线周期由 4个T状态组成。PC/XT所采用的时钟频率为4.77MHz，每个T状态的持续时间为210ns。如果CLK引脚接5MHz的时钟信号，那么每个T状态的持续时间为200ns。
4.4解答：
当8088进行读写存储器或I/O接口时，如果存储器或I/O接口无法满足CPU的读写时序（来不及提供或读取数据时），需要CPU插入等待状态TW。（在T3前沿检测Ready信号，若无效则插入TW 。）
具体在读写总线周期的T3和T4之间插入TW。
4.6参见p.99，p.110
8088的某些输出线有三种状态：高电平、低电平、悬空(高阻态)，称为三态能力。在高阻状态，CPU放弃其了对该引脚的控制权，由连接它的设备接管。
具有三态能力的引脚有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。
4.11
总线周期 IO/M* WR* RD*
存储器读 低 高 低
存储器写 低 低 高
I/O读 高 高 低
I/O写 高 低 高
4.12 答：
取该指令时引发存储器读总线操作。执行该指令时引发I/O读总线操作。（时序图略）
4.13 8088系统最小组态下，对指令ADD [2000H]，AX （长度3B）。
答：取该指令时需要3个总线周期，均为存储器读周期。
执行该指令时需要4个总线周期，2个为存储器读总线周期（读出字操作数参与运算），2个为存储器写总线周期（保存16位运算结果）。
4.15 参见p.106图
74LS373 的G为电平锁存引脚，控制选通且转为无效时锁存数据。
OE* 输出允许引脚，信号来自ALE。
4.16 参见p.106图
数据收发器74LS245 是8位双向缓冲器，G*控制端为低电平有效，可传输数据；DIR控制导通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。
4.17 参见p.
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