稳压二极管型号参数表谁有?

稳压二极管型号参数表谁有?

1.Uz—   稳定电压
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V,   Vzmax则为3.6V。
2.Iz—   额定电流
指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
3.Rz—   动态电阻
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为   5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω   ;   >   20mA则基本维持此数值。
4.Pz—   额定功耗
由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo
5.   α---温度系数
如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。
对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，可使温度系数达到0.0005%/℃。
6.IR—   反向漏电流
指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。

常用稳压二极管型号及技术参数   2009-03-05   08:47      05Z6.2Y   硅稳压二极管Vz=6~6.35V,   Pzm=500mW,   05Z7.5Y   硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,   Pzm=500mW,   05Z13X   硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,   Pzm=500mW,   05Z15Y   硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,   Pzm=500mW,   05Z18Y   硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,   Pzm=500mW,      1N4001   硅整流二极管50V,   1A,(Ir=5uA,   Vf=1V,   Ifs=50A)   1N4002   硅整流二极管100V,   1A,   1N4003   硅整流二极管200V,   1A,   1N4004   硅整流二极管400V,   1A,   1N4005   硅整流二极管600V,   1A,   1N4006   硅整流二极管800V,   1A,   1N4007   硅整流二极管1000V,   1A,      1N4148   二极管75V,   4PF,   Ir=25nA,   Vf=1V,      1N5391   硅整流二极管50V,   1.5A,(Ir=10uA,   Vf=1.4V,   Ifs=50A)   1N5392   硅整流二极管100V,   1.5A,   1N5393   硅整流二极管200V,   1.5A,   1N5394   硅整流二极管300V,   1.5A,   1N5395   硅整流二极管400V,   1.5A,   1N5396   硅整流二极管500V,   1.5A,   1N5397   硅整流二极管600V,   1.5A,   1N5398   硅整流二极管800V,   1.5A,   1N5399   硅整流二极管1000V,   1.5A,      1N5400   硅整流二极管50V,   3A,(Ir=5uA,   Vf=1V,   Ifs=150A)   1N5401   硅整流二极管100V,   3A,   1N5402   硅整流二极管200V,   3A,   1N5403   硅整流二极管300V,   3A,   1N5404   硅整流二极管400V,   3A,   1N5405   硅整流二极管500V,   3A,   1N5406   硅整流二极管600V,   3A,   1N5407   硅整流二极管800V,   3A,   1N5408   硅整流二极管1000V,   3A,      1S1553   硅开关二极管70V,   100mA,   300mW,   3.5PF,   300ma,   1S1554   硅开关二极管55V,   100mA,   300mW,   3.5PF,   300ma,   1S1555   硅开关二极管35V,   100mA,   300mW,   3.5PF,   300ma,   1S2076   硅开关二极管35V,   150mA,   250mW,   8nS,   3PF,   450ma,   Ir≤1uA,   Vf≤0.8V,≤1.8PF,      1S2076A   硅开关二极管70V,   150mA,   250mW,   8nS,   3PF,   450ma,      60V,   Ir≤1uA,   Vf≤0.8V,≤1.8PF,      1S2471   硅开关二极管80V,   Ir≤0.5uA,   Vf≤1.2V,≤2PF,   1S2471B   硅开关二极管90V,   150mA,   250mW,   3nS,   3PF,

稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。 稳压二极管型号参数表 型号                                                                           电压                                       功率 05Z6.2Y   硅稳压二极管   Vz=6~6.35V,   Pzm=500mW,    05Z7.5Y   硅稳压二极管   Vz=7.34~7.70V,   Pzm=500mW,    05Z13X   硅稳压二极管   Vz=12.4~13.1V,   Pzm=500mW,    05Z15Y   硅稳压二极管   Vz=14.4~15.15V,   Pzm=500mW,    05Z18Y   硅稳压二极管   Vz=17.55~18.45V,   Pzm=500mW,。

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