a006是什么场效应管

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场效应管目录[隐藏]

场效应管
1.概念:
2.场效应管的分类:
3.场效应管的主要参数 :
4.结型场效应管的管脚识别:
5.场效应管与晶体三极管的比较



　　
[编辑本段]场效应管
　　根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
[编辑本段]1.概念:
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
　　特点:
　　具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
　　作用:
　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
　　场效应管可以用作电子开关.
　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
[编辑本段]2.场效应管的分类:
　　场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :
[编辑本段]3.场效应管的主要参数 :
　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
　　Cds---漏-源电容
　　Cdu---漏-衬底电容
　　Cgd---栅-漏电容
　　Cgs---漏-源电容
　　Ciss---栅短路共源输入电容
　　Coss---栅短路共源输出电容
　　Crss---栅短路共源反向传输电容
　　D---占空比（占空系数，外电路参数）
　　di/dt---电流上升率（外电路参数）
　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）
　　ID---漏极电流（直流）
　　IDM---漏极脉冲电流
　　ID(on)---通态漏极电流
　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
　　IDS---漏源电流
　　IDSM---最大漏源电流
　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流
　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
　　IG---栅极电流（直流）
　　IGF---正向栅电流
　　IGR---反向栅电流
　　IGDO---源极开路时，截止栅电流
　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流
　　IGM---栅极脉冲电流
　　IGP---栅极峰值电流
　　IF---二极管正向电流
　　IGSS---漏极短路时截止栅电流
　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
　　Iu---衬底电流
　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
　　gfs---正向跨导

IRF1404型号，40V最高耐压，最大电流162安，输出功率200瓦。晶体管是以基极电流的微小变化而引起集电极电流的变大变化，而厂效应管是一种压控电源器件既流入的漏极电流受栅源电压的控制。多用于多级放大器的输入级作阻抗变换，用作可变电阻，恒流源，还有就是电子开光等。

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